据iSuppli公司，由于高端服务器、笔记本电脑、手机和有线通讯领域的快速增长，氮化鎵(GaN)电源管理半导体市场到2013年预计将达到1.836亿美元，而2010年实际上还几乎一片空白。

    GaN是面向电源管理芯片的一种新兴工艺技术，最近已从大学实验阶段进入商业化阶段。该技术对于供应商来说是一个有吸引力的市场机会，它可以向它们的客户提供目前半导体工艺材料可能无法企及的性能。

    iSuppli公司认为，在过去两年里，有几件事情使得GaN成为电源管理半导体领域中大有前途的新星。

    首先，硅在电源管理半导体中已经达到实际极限。另外，在硅上面生长GaN层已经取得突破。电源设计师也想开发更有效率的系统和升级高压产品，以消耗更少的电力。

    元件供应商已开始提供GaN器件。例如，国际整流器公司2月份推出了它的首款GaN负载点(POL)解决方案，EfficientPowerConversionsCorp.(EPCC)正在全力开发GaN技术，本月推出了10款功率MOSFET器件。

    可改善效率

    GaN材料将使效率得到提高，使器件尺寸缩小，这些优点将促进GaN器件得到更广泛的接受。对于移动PC和智能手机等便携电子产品来说，这些好处都是求之不得的。对于企业服务器和有线通讯基础设备等耗电量较大的电子设备，GaN器件也具有许多好处。

    但是，由于采用GaN材料涉及较高的成本，所以2010和2011年上述应用对GaN技术的接受速度将比较缓慢。随着2012和2013年该技术的发展，以及制造GaN器件的成本下降，该技术将开始夺取传统MOSFET、驱动IC和电压调节IC的市场份额。

    最先采用GaN器件的很可能是服务器，因为服务器总是需要高性能器件，而且经常是第一个接受可以改善性能的新技术的产品领域。在未来三年，GaN器件出货量的主要推动者将是笔记本电脑，因其非常需要GaN来节省功率和缩小外形尺寸。